最新のＥＵＶ（極端紫外線）露光装置が故障した──。2月下旬、米カリフォルニア州で開催された国際光工学会。次世代の半導体製造技術の動向に注目する参加者の間で“隠れた大ニュース”になったのは、半導体製造大手、台湾TSMCの幹部の言葉だった。
半導体の微細化が限界に近づく中、ＥＵＶは次世代技術の本命とされてきた。半導体露光装置で世界シェア約8割のオランダASMLが巨費を投じて実用化に邁進。キヤノンとニコンはすでに開発を断念しており、ＥＵＶが主流になれば、ASMLは最新の露光装置の需要を“総取り”できる。
ASMLのEUV露光装置。TSMCに納入した初の量産機が故障し、商用化に足踏みしている
トラブルを起こしたASMLのＥＵＶ露光装置は、初の量産機としてTSMCに納入されたもの。だが、試作中にトラブルが起き、レーザーの照射位置がずれて装置の内部を損傷させたという。
「ＥＵＶ露光装置の故障」というニュースに、半導体製造装置業界はざわめき始めている。
キヤノンが大勝負
ＥＵＶの“手詰まり感”が漂う中、反転を懸けて勝負に出たのがキヤノンだ。「ナノインプリント」という新技術で高いノウハウを持つ米モレキュラーインプリント（ＭＩＩ）を4月に買収すると発表。買収額は非公表だが100億円以上とみられ、シェア約5％からの再浮上を目指す。
ナノインプリントは、光で半導体の回路を描写する露光装置とは異なり、型をウエハー上の樹脂に押し当てて回路を形成する。超微細な“はんこ”をイメージすればわかりやすいだろう。レンズや光源など高額な部品が不要なため露光装置よりも安く、解像度が高いメリットがある。一方、多数のウエハーを処理すると気泡やゴミが混入するなどの問題があり、量産には向かないとされてきた。
しかし、2009年からＭＩＩと共同研究してきた結果、これらの課題に解決の道筋がつき、今回の買収に至った。処理能力は現行のASMLの数分の1程度だが、生駒俊明副社長兼最高技術責任者は「装置も安く小さいので、複数台並べて使えばトータルコストは安くなる」と自信を見せる。
