東芝メモリが建設を開始した新たなフラッシュメモリー製造拠点の北上工場
東芝メモリが建設を開始した新たなフラッシュメモリー製造拠点の北上工場。サムスン電子の投資減額で新たな判断が迫られる Photo:kyodonews

フラッシュメモリーの活況はピークアウトか

 半導体フラッシュメモリーの活況はピークアウトを迎えたのだろうか──。

 世界規模で半導体市場がバブル化する中、業界をけん引する韓国サムスン電子が2018年のNAND型フラッシュメモリーの投資計画を減額したことが分かった。

 半導体製造装置業界を中心に衝撃が走っており、英調査会社IHSマークイットは18年のサムスンのNAND型フラッシュメモリー投資額の予測を約30%も引き下げ、76億ドル(約8300億円)に下方修正した。17年の113億ドル(約1.2兆円)に比べても大幅な減額だ。

 世界半導体市場統計(WSTS)によると、17年の世界半導体市場規模は16年比22%増の4122億ドル(約45兆円)で過去最高だったが、その原動力がフラッシュメモリーだ。サムスンは巨額資金を三次元(3D)構造のメモリーを中心とする設備に投入し、17年の世界シェアを38.7%に引き上げて2位の東芝メモリの16.5%を突き放した。

 東芝メモリも、主力の四日市工場で3Dメモリーの設備投資を増強し、2ヵ所目の拠点となる北上新工場の建設を開始するなど、サムスンに対抗して投資額を増やしてきた。IHSによれば、17年の投資額は、協業する米ウエスタンデジタルとの合算で50億ドル(約5500億円)。18年もこの水準を維持するのか、それともサムスンに続いて投資を減額するのか、半導体業界全体が注視している。